氮化鋁AlN陶瓷薄膜

  氮化鋁AIN陶瓷結構和成份主要是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。鈞杰陶瓷專業生產氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、碳化硅特種陶瓷件.公司以高起點、高質量為標準、嚴格的選材和生產工藝的標準化,保證了產品質量的穩定,產品廣泛用于紡織、電子、電器、機械、航空、航天等領域.想進一步了解我們的產品，可以直接來我們公司進行更深一步的了解。咨詢鈞杰陶瓷聯系電話：134 128 56568。

化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。

此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。
 
性能：AIN陶瓷的性能與制備工藝有關。 如熱壓燒結AIN陶瓷，其密度為3 .2一3 .3g/cm3，抗彎強度350一400 MPa(高強型900 MPa)，彈性模量310 GPa，熱導率20-30W.m(-1).K(-1)，熱膨脹系數5.6x10(-6)K(-1)(25℃一400℃)。機械加工性和抗氧化性良好。
 
應用：氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。 利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。由于AIN陶瓷具有高導熱、高絕緣性，可作為半導體的基體材料，其熱阻與氧化被陶瓷相當，比氧化鋁陶瓷低很多，可用作散熱片、半導體器件的絕緣熱基片，提高基片材料散熱能力和封裝密度，可用于雙列直插式封裝、扁平封裝氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。

氮化鋁AlN陶瓷一般指高溫共燒陶瓷，具有六方纖鋅礦結構的共價晶體，導熱率高，熱  膨脹系數與Si和GaAs匹配。介電常數，介質損耗、介電強度優良，機械性能好，抗折強度高，可以常壓在1600°C燒結，是一種高功率集成電路基片的 未來使用材料。
 
氮化鋁AlN產品、HTCC高溫共燒陶瓷HTCC高溫共燒陶瓷元器件與氮化鋁AlN產品都是指產品的燒結化溫度達至1,600°C或以上。HTCC高溫共燒陶瓷元器件與氮化鋁AlN產品因膜厚關系，流延膜的干燥時間必須較長。因此必須使用水平式流延機，配合可調式溫度和風量設置。此外，由于燒結溫度較高，必須使用鉬板作為承燒板及鎢漿作為電極材料。工藝技術難度水平要求比一般低溫燒結產品為高。高溫燒結爐大部份需要還原氣氛，所以爐價非常高昂，工序更為繁復，燒結后的產品更加需要推板爐作整平處理。